
1 час назад
В МФТИ создали сегнетоэлектрическую хранилище с ресурсом более 100 млн циклов перезаписи
Исследователи МФТИ сообщили о прорыве в разработке сегнетоэлектрической памяти: экспериментальные образцы выдержали более 100 млн циклов перезаписи — это на порядки выше типичных показателей флеш-памя